在氧等離子體中對硅蒸汽進行氧化處理，可得到SiOx。陽極電弧工藝使用消耗性硅金屬，硅金屬置于熔爐內作為真空電弧的陽極。如果在金屬陰極和上述熔爐之間施加一個20~30V的直流電壓，只要在陰極前存在蒸汽團，就會在陰極和陽極之間產生連續的電弧放電。這一放電可在真空爐體內部產生高活性等離子體，這時，處于高激發狀態的硅原子被蒸發，并朝向在蒸汽云上部不斷旋轉的包裝物基底移動。此時，如果向蒸汽中加入氧氣，則會在包裝物基底表面沉積一層SiOx。
等離子體聚合工藝是一種在基底上生成有機或無機類聚合物涂層的工藝。這一工藝屬于等離子體增強化學氣相沉積工藝范疇。在PECVD工藝中，將所需成分的蒸汽引入等離子體，等離子體內部的電子將分子電離或裂解為自由基。所生成的活性分子可在表面或在氣相環境中發生化學反應，*后經過沉積形成薄膜。成核過程取決于材料表面的形貌以及表面是否存在外來原子。通過上述工藝生成的致密薄膜具有疏水性，且不存在氣孔。但是，為了在短時間內生成具備良好品質的薄膜，工藝參數必須進行優化，在阻隔層應用領域，尤其需要對工藝參數進行優化。通過在等離子體環境下裂解硅樹脂，可以得到有機硅薄膜。如果使硅原子與氧氣、氮氣或其混合氣體發生反應，則可沉積生成二氧化硅、氧化硅或氮氧化硅薄膜。類金剛石碳薄膜的前驅反應物采用乙炔等有機氣體。
與傳統CVD工藝相比，等離子脈沖化學氣相沉積（PICVD）工藝是一項具有很大改進的工藝。在功率源（一般采用射頻或微波功率源）上施加脈沖信號，就可以產生脈沖等離子體。脈沖等離子體可允許涂覆過程中離子具有較低能量。涂層通過一系列小型處理工序逐漸增厚，*終生成一層高度致密的均勻涂層。此外，在兩次脈沖之間，可以改變反應混合物的化學組成成分。因此，在同一次工藝運行過程中，可以涂覆多層具備不同性能的涂層，從而生成按需定制的多涂層系統。PICVD工藝制備SiO2和TiO2涂層技術已經廣泛應用于各種塑料（如聚對苯二甲酸乙二醇脂（PET）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚碳酸酯（PC），共聚環狀烯烴（COC）、聚丙烯（PP）和高密度聚乙烯（HDPE））的表面改性。河南先途智能科技有限公司是一家專門生產等離子清洗機的環保公司。 |
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