IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成，如圖1所示。其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。
IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環氧絕緣系統，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。
IPM內部功能機制
IPM內置的驅動和保護電路使系統硬件電路簡單、可靠，縮短了系統開發時間，也提高了故障下的自保護能力。與普通的IGBT模塊相比，IPM在系統性能及可靠性方面都有進一步的提高。
3E041775
3HNE04092-1 DSQC 505/506
6369901-177 DSQC 215
26390351-PF DSQC 224
3HAC020079-001
YB560105-DH DSQC 224
3HAC020633-001
3HAC022313-001
6369901-614
6369901-615
6369901-625
6369901-640
3HAC16014-1 DSQC 562
3HNE8101-1
3E041460
6369901-617
6369901-383
6369901-454
6369901-467
YB560103-BP DSQC 231
3HAC020150-001 DSQC 62 |
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