Toshiba晶體管輸出光耦的應用非常廣泛，比如TLP620：電源的反饋電路和工業設備的光電接口。東芝可提供各種晶體管輸出光耦的產品TLP181GB，包括可支持高達125°C工作溫度范圍的光耦和支持高達350V集電極—發射極電壓（VCEO）的光耦TLP290-4,TLP281-4�？商峁╅g隙和爬電距離為8mm的DIP封裝。 欲訂購其它具有8mm保證間隙和爬電距離封裝的光耦TLP621GR，請在器件型號后添加后綴F， 例如：TLP785F
晶體管輸出光耦的列表，您可以查找晶體管輸出光耦的完整特性列表。以低輸入電流（IF=0.5mA）保證電流傳輸比（CTR）（TLP182/183/292/293）因采用復合晶體管輸出而以高電流驅動（TLP187等）因采用片上VBE而能進行高速開關和保證延遲時間（TLP2301）
晶體管輸出光耦TLP521-4的特點
1．以低輸入電流（I F =0.5mA）保證電流傳輸比（CTR）（TLP182/183/292/293）因采用了高功率銦鎵砷（MQW）LED，TLP182、TLP183、TLP292和TLP293能在低輸入電流（IF=0.5mA）條件下提供高的保證電流傳輸比（CTR）。因為這些光耦TLP291-4,TLP280-4可同時保證IF=5mA和IF=0.5mA時的CTR值，所以簡化了低電流區域的功能設計。
可控硅輸出光耦
可控硅輸出光耦適合用于控制交流負載。東芝提供具有400V、600V和800V重復關閉狀態峰值正向電壓（VDRM）的可控硅輸出光耦，VDRM=400V的光耦適用于100V交流負載應用，VDRM=600V和800V的光耦適用于200V交流負載應用。您可以選擇非零交叉（NZC）可控硅輸出光耦用于對可控硅的硬件相位進行控制，或選擇零交叉（ZC）可控硅輸出光耦用于降低開關噪聲。
* 1：可提供間隙和爬電距離為8mm的DIP6和DIP4封裝。
欲訂購其它具有8mm保證間隙和爬電距離封裝的光耦，請在器件型號后添加后綴F，例如：TLP3062F
* 2：5mm用于SO6封裝；4mm用于MFSOP6封裝
* 3：TLP168J和TLP3064僅提供3mA的IFT。 |
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