化學機械拋光（ＣＭＰ）已成為公認的納米級全局平坦化精密超精密加工技術。拋光液在ＣＭＰ過程中發揮著重要作用。
化學機械拋光（Chemical mechanical polishing，簡稱CMP），又稱化學機械平坦化（Chemical mechanical planarization），是提供超大規模集成電路（ＵＬＳＩ）制造過程中表面平坦化的一種新技術，于1965年首次由美國的Monsanto提出，最初是用于獲取高質量的玻璃表面。ＣＭＰ技術將磨粒的機械研磨作用與納米材料的化學作用有機地結合起來，可實現超精密無損傷表面加工，滿足集成電路特征尺寸在0.35μm以下的全局平坦化要求。ＣＭＰ過程是一個動態的微細加工過程，在該過程中，拋光液中的化學組分與工件發生反應，在工件加工表面形成一層很薄、結合力較弱的生成物；而拋光液中磨粒在壓力和摩擦作用下對工件表面進行微量去除。此外，拋光過程拋光液還通過在拋光區域形成流體膜以及帶動磨粒在拋光區運動影響拋光過程。所以，拋光液在ＣＭＰ過程中影響著化學作用與磨粒機械作用程度的比例，影響著拋光區域的溫度，在很大程度上決定著ＣＭＰ能獲得的拋光表面質量和拋光效率。
現代電子,光學科技的飛速發展, 令到許多相關行業對其原材料表面光潔度的要求越來越高. 能否正確選用適當的研磨, 拋光材料, 已成為保障這類產品品質的最重要的因素之一. 在超過半個世紀的發展中, 隨著各類新型材料在高科技及生活中的出現, 科凝化工根據被加工物件各異的理化特性, 針對性的研制了各類不同的拋光研磨材料, 充分滿足了市場的需求. 近年來, 國內半導體, 激光, 壓電晶體, 光學晶體, 光學玻璃, 光學塑料以至鏡面金屬模具, 陶瓷加工等行業的高精度表面處理, 都在越來越多的采用.
CMPKN-80 是以高純度的，粒徑僅為數十納米的膠態氧化硅配以獨特的專利懸浮防銹液等高分子成分所組成。可以保障到被加工件鏡面無劃痕的要求，特別適用于鈮酸鋰，鉭酸鋰，藍寶石等電子材料最終拋光。達到即開即用的標準，同樣也廣泛應用于各種非線性光學晶體，激光晶體的精拋，以及高硬度合金模具，特殊陶瓷，電腦玻璃磁盤基片等產品的最終精拋。 |
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