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JEDEC Standard
DDR2 Speed Grade : 533Mbps
Micro DIMM : 214-pin
Memory Organization : x8 , x16 FBGA DRAM chip
DDR2 DRAM interface : SSTL_18
CAS latency : 4-4-4
Bandwidth : 4300MB/s
VDD voltage : 1.8+-0.1V
VDDQ voltage : 1.8+-0.1V
Standard OP Temp.: 0℃~+85℃
Serial presence detect with EEPROM.
PCB height : 1.181 inch
RoHS Compliant
Application : NoteBook
簡(jiǎn)介
DDR2是新一代的DDR內(nèi)存革新技術(shù)。DDR2內(nèi)存的速度更快、數(shù)據(jù)帶寬更大、耗電更少、散熱性能更高。DDR2內(nèi)存芯片使用球型陣列封裝(Fine-pitch BGA，F(xiàn)BGA)，加強(qiáng)了電氣與熱感應(yīng)特性。此外，DDR2內(nèi)存芯片也將整合內(nèi)存信號(hào)終端電阻(On-Die Termination，ODT)，以降低高速傳輸時(shí)的內(nèi)存信號(hào)反射，進(jìn)而提升時(shí)序預(yù)留空間。DDR2內(nèi)存芯片的*高容量可達(dá)到4 G，可顯著提升內(nèi)存模組的容量。
此款為DDR2-533 CL4微DIMM內(nèi)存模組。該內(nèi)存模組的密度從512MB到1GB，由FBGA封裝的DDR2-533 MHz同步DRAM組成，用于安裝在214腳插槽內(nèi)。 |
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