|
西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
| 聯(lián)系人：蒲經(jīng)理
先生 (運(yùn)營經(jīng)理) |
| 電 話：17792574070 |
手 機(jī)：17792574070  |
 |
|
 |
|
| 分立器件IGBT電參數(shù)測試服務(wù) |
IGBT模塊簡介
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。
可知，若在IGBT的柵極G和發(fā)射極E之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極C與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極G—發(fā)射極E間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。
IGBT模塊的選擇
IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時，開關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開關(guān)時，由于開關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時應(yīng)該降溫等使用。 |
 |
| |
| 西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
|
| 電 話： |
17792574070 |
| 傳 真： |
|
| 移動電話： |
17792574070 |
| 公司地址： |
中國陜西西安市高新區(qū)錦業(yè)路69號創(chuàng)新商務(wù)公寓1號樓0310室 |
| 郵 編： |
|
| 公司主頁： |
http://chbdt.qy6.com.cn( 加入收藏) |
|
|
|
 |
|
|
免責(zé)聲明：以上所展示的信息由會員自行提供，內(nèi)容的真實性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會員負(fù)責(zé)，www.qy6.com對此不承擔(dān)任何責(zé)任。如有侵犯您的權(quán)益，請來信通知刪除。