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Ce:YAG 閃爍晶體成像 LED照明

Ce:YAG 閃爍晶體成像 LED照明 //Ce:YAG 閃爍晶體成像 LED照明

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公　司：南京光寶光電科技有限公司

發(fā)布時間：2020年03月25日

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Ce:YAG晶體具有優(yōu)異機械和化學穩(wěn)定性的快閃爍材料。Ce:YAG晶體閃爍探測器是電子成像、beta和X射線計數(shù)的優(yōu)選材料，同時也被用作電子和X射線的成像屏。Ce:YAG晶體的優(yōu)異的溫度機械性能有利于制備出低于0.005mm厚度的超薄成像屏。在電子或者離子轟擊下Ce:YAG晶體不產(chǎn)生損傷，適合應用于高電流環(huán)境。Ce:YAG晶體的發(fā)光峰位置位于560nm左右，很適合使用S20光電倍增管進行發(fā)射探測。在5KV之內(nèi)以及超過100KV的更高加速電壓下，Ce:YAG晶體比Planotec P47具有更好的響應，在該環(huán)境下粉末閃爍體性能開始下降，而Ce:YAG晶體的相應仍然保持線性增加。盡管Ce:YAG晶體的信號比P47弱，但是信噪比高，終端信號更好。Ce:YAG晶體的衰減時間為60ns。使用中為了避免光敏感，通常需要鍍50nm的鋁膜。Ce:YAG晶體，提拉法和溫梯法生長，*大直徑110mm，厚度0.15-150m

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