JC-00系列產品是深圳晶材化工有限公司生產的納米拋光液，采用納米技術和超分散設備合成的CMP漿料。產品分別適用于鋁合金鏡面拋光，不銹鋼鏡面拋光，大理石和石材精拋工藝。
主要特點
JC-00系列產品具有表面張力低、易清洗、拋光速率高、拋光鏡面粗糙度低等特點，非常適用于不銹鋼的拋光工藝。直接效果達到不銹鋼鏡面的光線散射減弱，成像更清晰；水紋現象減弱或消除；本品具拋光及鈍化功能，適用于對不銹鋼表面要求高度鏡面效果的產品。在拋光中根據需要可以優化不同配比，均能達到*佳使用效果。
JC-00系列產品綜合了化學和機械拋光的優勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，完美性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深。化學機械拋光可以獲得較為完美的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數量級，是目前能夠實現全局平面化的*一有效方法。
主要用途
JC-005H主要應用于不銹鋼的拋光工藝中。
JC-003H主要用于鋁合金鏡面拋光工藝；
JC-001H主要用于大理石精拋工藝；
基本參數:
pH值 8.5～9.5
比重 1.280-1.295
粘度（稀釋后）< 10.0(mPa.s)
磨料粒徑 100～120(nm)
磨料濃度 40±2%
使用方法
根據工藝將拋光原漿料按一定比例與去離子水混合后使用；根據拋光設備和拋光切削度合理使用拋光液濃度。
運輸及保存
1、運輸與存放過程中要避免光直射。
2、運輸與存放溫度為5℃～50℃。
3、保質期一年，建議半年內使用。
包裝規格 25Kg/桶
化學機械拋光
這兩個概念主要出現在半導體加工過程中，*初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是及其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，完美性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深。化學機械拋光可以獲得較為完美的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數量級，是目前能夠實現全局平面化的*一有效方法。
制作步驟
依據機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程：
（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。
（2）拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。
硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，則表面產生高損傷層。 |
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